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AI芯片先进封装逼近掩模极限,CoWoS-L与EMID-T竞逐扩容
AI芯片,逼近掩模极限
AI 导读
AI芯片所用先进封装的尺寸不断逼近并超过掩模极限,CoWoS-L与EMIB-T分别以RDL加局部硅互连、嵌入式硅桥加TSV应对互连与供电瓶颈。台积电首款3.5倍掩模尺寸的CoWoS-L已于2024年量产,5.5倍CoWoS方案计划于2026年量产,TrendForce预计CoWoS-L凭成熟度和良率优势到2028年仍是主流。
推荐理由
文章把CoWoS-L与EMIB-T的互连、供电和尺寸路线并列比较,并梳理超大封装在散热、良率与成本上的约束,便于理解两条路线的取舍。
来源:钛媒体 · tmtpost.com