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Opus 5.5 智能体发现两种室温磁性半导体候选材料
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2026 年 10 月 6 日报道，Opus 5.5 智能体发现两种适用于下一代自旋电子存储的室温磁性半导体候选材料。第一种为全新设计的五元化合物 YBaMnFeO₅，预测带隙为 2.35 eV，空穴与电子自旋窗口分别为 1.0 eV 和 1.4 eV，远超室温下约 26 meV 的热扰动能量。另一种材料早在 1999 年便已首次合成，经 PBE+U 与 HSE06 两级密度泛函理论计算后被重新识别为 Luttinger 补偿磁性半导体。两种材料均被认定为室温磁性半导体，有望用于自旋电子存储器件。
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最新进展10月6日 05:00
Opus 5.5 智能体发现两种室温磁性半导体候选材料，分别为全新设计与既有材料的重新识别。报道时间线
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10月6日
- Hacker NewsOpus 5.5 智能体发现两种室温磁性半导体候选材料
Opus 5.5 智能体发现两种适用于下一代自旋电子存储的室温磁性半导体候选材料。其中全新设计的五元化合物 YBaMnFeO₅ 预测带隙为 2.35 eV，空穴与电子自旋窗口分别为 1.0 eV 和 1.4 eV，远超室温约 26 meV 的热扰动；另一材料于 1999 年首次合成，经 PBE+U 与 HSE06 两级密度泛函理论计算后被重新识别为 Luttinger 补偿磁性半导体。
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