英伟达被曝要求三星、SK海力士和美光采用台积电3nm制程生产定制NVHBM

英伟达被曝已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（BaseDie）为其生产定制NVHBM，核心裸片（CoreDie）使用第六代DRAM技术，三星电子据称已决定接受相关技术要求。10月19日，三星电子回应称不对涉及客户的事项发表评论。