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英伟达要求三星等采用台积电3nm制程生产NVHBM
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英伟达据报道已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产定制NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM技术。报道称三星电子已决定接受该技术要求，但10月19日三星电子回应称不对涉及客户的事项发表评论，并未证实接受一说。
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最新进展10月19日 18:42
英伟达被曝要求三星、SK海力士和美光采用台积电3nm制程生产定制NVHBM报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 36氪精选英伟达被曝要求三星、SK海力士和美光采用台积电3nm制程生产定制NVHBM
英伟达被曝已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（BaseDie）为其生产定制NVHBM，核心裸片（CoreDie）使用第六代DRAM技术，三星电子据称已决定接受相关技术要求。10月19日，三星电子回应称不对涉及客户的事项发表评论。
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